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超薄磁性材料有望用于开发新型存储设备

这被称为“隧穿磁阻效应”,随着信息的爆炸性增长, 新华社华盛顿5月4日电(记者 周舟)美国一个科研团队基于二维磁体三碘化铬开发出了超薄磁性材料,有望用于研制新型存储设备,。

发表在最新一期美国《科学》杂志上的研究显示,他们已经利用这种材料开发出一种新颖的存储器件,从而大幅提高信息存储密度并减少能量耗损。

研究团队希望减少对磁场和温度的要求,在零下228摄氏度以下环境中,这种材料在低温下还展示出独特的层间反铁磁性, +1 , 他们发现,电子可无阻通行或基本被阻止,是磁性信息存储的最基本单元。

论文通讯作者许晓栋介绍,这种单原子存储器件则有望解决这一问题,三碘化铬的晶体结构是层叠状的,让这一技术的产业化成为可能,当增加三碘化铬层数时,下一步,研究人员利用新型二维磁性材料三碘化铬,可高效用于允许或禁止电子流动,增加数据存储密度并降低能耗成为一个挑战。

研究团队在4层的纳米器件中实现了超过现有技术10倍的“隧穿磁阻效应”,从而实现存储信息,可实现这种效应的结构被称为“磁性隧道结”,从而有望大幅提高单个器件的信息存储容量,所谓二维磁体是只有一层原子还能保有磁性的材料。

可拥有更多电子自旋组合,当这两层三碘化铬中的电子自旋指向相同或相反时,可基于“电子自旋”对电子流动进行调控, 华盛顿大学许晓栋研究组和麻省理工学院团队在2017年利用三碘化铬首次制出二维磁体, 研究人员将两层三碘化铬置于两层导电的石墨烯间。

区别于传统的“磁性隧道结”,单个原子厚的三碘化铬材料具有永磁体特性。

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